硅磚產(chǎn)生裂紋的原因

　　一般情況下產(chǎn)生裂紋的原因如下：

　　(1)配料中采用了含有大量快轉化的多孔硅石，或采用膨脹性過大的脈石英;

　　(2)泥料中含有過量的小于0.5mm的細顆粒，或含有過多的大顆粒，臨界粒度過大也是原因之一;

　　(3)廢硅磚加入量不足、石灰乳質量不好、礦化劑加入不當或泥料水分過小;

　　(4)模型設計不合理或成型操作方法不當;

　　(5)干燥制度不穩(wěn)定，磚坯裝窯方法不正確，燒成時升溫過快，使石英和亞穩(wěn)方石英集中轉化為α-方石英，產(chǎn)生過大的體積膨脹。

　　根據(jù)實際生產(chǎn)改善硅磚的各項性能方法

　　致密硅磚的生產(chǎn)

　　采用比較合適的顆粒級配，適宜的礦化劑和結合劑，提高成型壓力和打擊次數(shù)，可制造較致密的硅磚。

　　例如：采用下列配料級配，2.8?1.0mm15?20%;0.5?0.1mm55?62%;〈0.1mm30?35%。以石灰乳、鐵鱗混合液作礦化劑(pH值控制在2.0?2.6之間);泥料中結合劑為亞硫酸紙漿廢液，加入量為1%;泥料水分為4.5?5.0%。用較高噸位的摩擦壓磚機成型，磚坯體積密度2.30?2.32g/cm3，最高燒成溫度1430℃。

　　如何降低硅磚的真密度

　　硅磚真密度的大小是表示石英轉化程度的重要標志之一。硅磚真密度小，說明鱗石英含量多，轉化完全，使用過程中產(chǎn)生殘余膨脹小。

　　降低硅磚真密度的方法如下：

　　(1)將硅石的臨界粒度由2.8mm降為2.0mm，真密度可減小0.004g/cm3;

　　(2)將CaO含量從2.5%降至2.0%，鐵鱗加入量從1%減至0.5%，真密度可分別降低0.005g/cm3和0.007g/cm3;

　　(3)在隧道窯中燒成時，在1360?1400℃下保溫50h。

　　采用以上方法可使硅磚真密度降至2.33?2.34g/cm3。

　　提高焦爐硅磚的導熱率

　　制造高密度硅磚，加入高導熱率的添加物如CuO、Cu2O、TiO2、Fe2O3(FeO)等，都可以提高硅磚的導熱率。

　　例如以SiO2含量為98.23%的結晶硅石為原料，以亞硫酸紙漿廢液為結合劑，鐵鱗和石灰乳為礦化劑，以金紅石(TiO2)為添加劑時，可提高焦爐硅磚的導熱率。當金紅石加入量為1.5%時，焦爐硅磚的導熱系數(shù)為2.66W/(m•K)。